RT info:eu-repo/semantics/masterThesis
T1 Caracterización de la calidad del óxido térmico (SiO2) crecido sobre sustratos de silicio en FEL para su optimización como capa pasivante
A1 Sánchez Álvarez, Gonzalo
A2 Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias
K1 Óxido térmico
K1 Silicio
K1 Pasivante
AB En este trabajo de Fin de Máster se estudian diferentes parámetros físicos de unas muestras de estructuras MOS con el objetivo de caracterizar el óxido de silicio empleado. en concreto, se busca comparar la calidad de los óxidos en función de distintos parámetros, como el tipo de agente oxidante empleado, o el horno en el que se ha realizado la oxidación. Esta comparación se hará mediante el estudio de las curvas Capacidad-Voltaje (CV), Conductancia-Voltaje (GV), y Corriente-Voltaje (IV) de las muestras, así como el espesor de los óxidos, obteniendo de esta manera valores del Espesor del óxido (tox), del Voltaje de Banda Plana (Vfb), de la Permitividad Relativa (Erel), del Campo Eléctrico de Ruptura Dieléctrica (Ebr), y de la Densidad de Estados de Interfase (Dit), a partir de los cuales se ha comparado la calidad de las distintas muestras. Las muestras empleadas en este Trabajo han sido fabricadas en las instalaciones de la empresa FAGOR ELECTRÓNICA, KOOP.E. (Arrasate/Mondragón, Gipuzcoa, Euskadi/País Vasco, España) por el alumno con ayuda del personal de la fábrica. Las medidas del Espesor del Óxido y del Voltaje de Ruptura (así como la inspección visual de la ruptura) han sido realizadas en las instalaciones de FAGOR ELECTRÓNICA, KOOP.E., mientras que las demás medidas han sido realizadas en las instalaciones de la UNIVERSIDAD DE VALLADOLID (Valladolid, Valladolid, Castilla y León, España).
YR 2025
FD 2025
LK https://uvadoc.uva.es/handle/10324/79080
UL https://uvadoc.uva.es/handle/10324/79080
LA spa
NO Departamento de Electricidad y Electrónica
DS UVaDOC
RD 28-oct-2025