RT info:eu-repo/semantics/masterThesis
T1 Estudio de la Termodinámica de mecanismos de SET y RESET en memristores de conmutación resistiva
A1 Val de la Fuente, Teresa del
A2 Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias
K1 Memristores
K1 Conmutación resistiva
K1 Memorias no volátiles
AB Actualmente, uno de los mayores retos que quedan por superar en el área de lacomputación es el cuello de botella de Von Neumann. Una de las posibles solucionesque se está investigando son las memorias RRAM las cuales, gracias a la conmutaciónresistiva, son capaces de funcionar como memorias no volátiles y presentan otrasmúltiples aplicaciones. Esto las dota de gran interés y, consecuentemente, constituyenel foco de este trabajo.Con el objetivo de investigar estos dispositivos, se han caracterizado tres muestrasdiferentes: Óxido de hafnio (HfO2), óxido de aluminio (Al2O3) y una bicapa de HfO2/Al2O3.Este estudio consiste en las siguientes medidas, a partir de las cuales se ha analizado ycomparado el comportamiento de estos dispositivos: curvas I-V, histerones, robustez,lazos anidados, lazos acumulados, histerones anidados y transitorios de corriente. Lostransitorios se han ajustado a un modelo para describir y comparar con mayor precisiónlas transiciones de RESET. Además, para alcanzar una mayor comprensión de losmecanismos de conducción y para estudiar los efectos de la temperatura en ciertosparámetros, se han presentado las anteriores medidas a diferentes temperaturas.Mediante la interpretación de todos estos resultados se han determinado las posiblesaplicaciones de estas muestras.
YR 2025
FD 2025
LK https://uvadoc.uva.es/handle/10324/79081
UL https://uvadoc.uva.es/handle/10324/79081
LA spa
NO Departamento de Electricidad y Electrónica
DS UVaDOC
RD 19-nov-2025