TY  - THES 
A3  - Marqués Cuesta, Luis Alberto
A3  - Pelaz Montes, María Lourdes
AU  - Martín Encinar, Luis
PY  - 2024
UR  - https://uvadoc.uva.es/handle/10324/76343
AB  - The technology of SiGe devices involves the heteroepitaxial growth of SiGe layers with high Ge content or pure Ge layers on Si substrates. The lattice mismatch between Si and Ge generates compressive stress in the grown film that, depending on...
AB  - La tecnología de dispositivos de SiGe implica el crecimiento heteroepitaxial de capas de SiGe con alto contenido de Ge o de Ge puro sobre sustratos de Si. El desajuste de red entre Si y Ge genera tensión en la película crecida que, dependiendo de las...
LA  - eng
KW  - SiGe
KW  - SiGe
KW  - SiGe
KW  - thin fims
KW  - Películas delgadas
KW  - Classical Molecular Dynamics
KW  - Dinámica Molecular Clásica
KW  - Machine Learning
KW  - Aprendizaje automático
TI  - Multiscale modelling of Ge heteroepitaxy on Si
M3  - info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
DO  - 10.35376/10324/76343
ER  -