Statistik

Gesamtzugriffe

	Zugriffe
Fully porous GaN p-n junction diodes fabricated by chemical vapor deposition	618

Dateiabrufe

	Descargas
ACS_Appl_Mater_Interf_6_17954_2014.pdf	593

Seleccione un intervalo de tiempo:

VisualizacionesDescargas

Número de visitas en el intervalo

	Zugriffe
Fully porous GaN p-n junction diodes fabricated by chemical vapor deposition	101

Número de descargas en el intervalo

	Descargas
ACS_Appl_Mater_Interf_6_17954_2014.pdf	38

Visitas

	Visitas
Dezember 2024	13
Januar 2025	22
Februar 2025	3
März 2025	1
April 2025	25
Mai 2025	29
Juni 2025	8

Descarga de datos en CSV

Gráfico barras

Gráfico líneas

Número de descargas en el intervalo

Descargas
Dezember 2024

3
Januar 2025

13
Februar 2025

5
März 2025

8
April 2025

6
Mai 2025

3
Juni 2025

0
Descarga de datos en CSV

Gráfico barras

Gráfico líneas

Zugriffe nach Ländern

	Zugriffe
Vereinigte Staaten von Amerika	45
China	21
Brasilien	10
Russland	7
Venezuela	5
Indien	3
Frankreich	3
Australien	2
Argentinien	1
Hongkong	1

Países con más descargas

	Descargas
China	10
Vereinigte Staaten von Amerika	10
Frankreich	3
Hongkong	2
Indien	1
Russland	1

Zugriffe nach Städten

	Zugriffe
São Paulo	3
Ashburn	2
Adelaide	2
Angra dos Reis	1
Cambira	1
Central	1
Council Bluffs	1
Florissant	1
Huangpu	1
Jundiaí	1

Ciudades con más descargas

	Descargas
Ashburn	2
Central	1
Huangpu	1