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Fully porous GaN p-n junction diodes fabricated by chemical vapor deposition	500

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Fully porous GaN p-n junction diodes fabricated by chemical vapor deposition	98

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abril 2024	4
mayo 2024	9
junio 2024	12
julio 2024	21
agosto 2024	7
septiembre 2024	34
octubre 2024	11

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abril 2024

11
mayo 2024

7
junio 2024

4
julio 2024

5
agosto 2024

10
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10
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Países con más visualizaciones

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Estados Unidos	43
Singapur	32
Australia	8
Rusia	5
Francia	5
India	2
China	1
Indonesia	1
Rumania	1

Países con más descargas

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Estados Unidos	21
China	4
Indonesia	3
Francia	1
India	1

Ciudades con más visualizaciones

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Singapore	22
Ashburn	18
Indianola	5
Boardman	4
Melbourne	3
Houston	3
Canberra	2
Mumbai	2
Brisbane	2
Jakarta	1

Ciudades con más descargas

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Ashburn	4
Jakarta	2
Indianola	1