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Fully porous GaN p-n junction diodes fabricated by chemical vapor deposition	514

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Fully porous GaN p-n junction diodes fabricated by chemical vapor deposition	108

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maggio 2024	9
giugno 2024	12
luglio 2024	21
agosto 2024	7
settembre 2024	34
ottobre 2024	17
novembre 2024	8

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maggio 2024

7
giugno 2024

4
luglio 2024

5
agosto 2024

10
settembre 2024

8
ottobre 2024

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4
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Países con más visualizaciones

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Stati Uniti	40
Singapore	36
Australia	9
Russia	6
Francia	6
India	3
Hong Kong	2
Spagna	2
Brasile	1
Germania	1

Países con más descargas

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Stati Uniti	15
Hong Kong	4
Germania	4
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India	1
Francia	1

Ciudades con más visualizaciones

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Singapore	24
Ashburn	18
Indianola	4
Boardman	4
Melbourne	3
Houston	3
Brisbane	2
Canberra	2
Central	2
Mumbai	2

Ciudades con más descargas

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Ashburn	4
Central	3
Indianola	1