Total de visitas

Visualizações
Fully porous GaN p-n junction diodes fabricated by chemical vapor deposition677

Arquivos visitados

Descargas
ACS_Appl_Mater_Interf_6_17954_2014.pdf629

Seleccione un intervalo de tiempo:

VisualizacionesDescargas

Número de visitas en el intervalo

Visualizações
Fully porous GaN p-n junction diodes fabricated by chemical vapor deposition122

Número de descargas en el intervalo

Descargas
ACS_Appl_Mater_Interf_6_17954_2014.pdf53

Visitas

Visitas
Março 20251
Abril 202525
Maio 202529
Junho 202527
Julho 202517
Agosto 202513
Setembro 202510
Descarga de datos en CSV
 
Gráfico barras
 
Gráfico lí­neas

Número de descargas en el intervalo

  • Descargas
  • Março 2025
    8
  • Abril 2025
    6
  • Maio 2025
    3
  • Junho 2025
    12
  • Julho 2025
    10
  • Agosto 2025
    6
  • Setembro 2025
    8
 
Gráfico barras
 
Gráfico lí­neas

Principais visualizações por país

Visualizações
Estados Unidos41
Brasil17
Rússia16
China12
Espanha8
Vietnã6
Cingapura6
Venezuela5
Índia3
Austrália2

Países con más descargas

Descargas
Estados Unidos29
China3
Cingapura3
Espanha2
Rússia2
Vietnã1
Brasil1
Índia1

Principais visualizações por cidade

Visualizações
Inca8
Huangpu3
Hefei2
Shanghai2
Singapore2
São Paulo2
Adelaide2
Angra dos Reis1
Aracoiaba da Serra1
Boa Vista do Jauato1

Ciudades con más descargas

Descargas
Inca2
Singapore1