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Fully porous GaN p-n junction diodes fabricated by chemical vapor deposition	556

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Fully porous GaN p-n junction diodes fabricated by chemical vapor deposition	67

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Outubro 2024	17
Novembro 2024	11
Dezembro 2024	13
Janeiro 2025	22
Fevereiro 2025	3
Março 2025	1
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Outubro 2024

10
Novembro 2024

5
Dezembro 2024

3
Janeiro 2025

13
Fevereiro 2025

5
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Principais visualizações por país

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China	20
Estados Unidos	16
Cingapura	8
Índia	4
Brasil	3
França	3
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	3
Austrália	3
Espanha	2
Rússia	2

Países con más descargas

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China	14
Estados Unidos	11
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	3
França	2
Cingapura	1

Principais visualizações por cidade

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Singapore	5
Central	3
Ashburn	3
Mumbai	2
Perth	2
Valladolid	2
Boardman	2
Brisbane	1
Council Bluffs	1
Los Angeles	1

Ciudades con más descargas

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Ashburn	3
Central	1
Singapore	1