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Fully porous GaN p-n junction diodes fabricated by chemical vapor deposition	500

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Abril 2024	4
Maio 2024	9
Junho 2024	12
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França	5
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Estados Unidos	21
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Índia	1

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Ashburn	18
Indianola	5
Boardman	4
Melbourne	3
Houston	3
Canberra	2
Mumbai	2
Brisbane	2
Jakarta	1

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Ashburn	4
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