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Defect formation during chlorine-based dry etching and their effects on the electronic and structural properties of InP/InAsP quantum wells413

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Singapour34
Australie8
Inde4
Russie4
France4
Chine3
Indonésie1

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France1
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Indonésie1

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Singapore26
Ashburn10
Santa Clara6
Indianola4
Boardman4
Brisbane3
Perth2
Prineville2
Inglewood2
Adelaide1

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Ashburn5
Prineville2
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