Análisis de fenómenos de conmutación resistiva unipolares y bipolares

Abstract

El fenómeno de conmutación resistiva consiste en el cambio súbito y no volátil de la resistencia eléctrica de una capa de material dieléctrico, como consecuencia de la aplicación de una tensión o corriente eléctricas. Este fenómeno está siendo objeto de una intensa investigación por su posible aplicación en dispositivos de memoria resistiva (ReRAM), basados en configuraciones metal-aislante-semiconductor (MIS) y metal-aislante-metal (MIM). En el presente trabajo se estudiará este fenómeno, así como, los equipos y montajes dedicados a este fin.