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Temperature effect on damage generation mechanisms during ion implantation in Si. A classical molecular dynamics study	622

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Vietnã	4
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Alemanha	2
França	2
Reino Unido	2

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França	1
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Inca	8
Valladolid	4
Singapore	4
Huangpu	3
Central	3
Shanghai	2
Frankfurt am Main	2
Ashburn	1
Beijing	1
Belo Horizonte	1

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Frankfurt am Main	3
Inca	2
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