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Self-trapping in B-doped amorphous Si: Intrinsic origin of low acceptor efficiency668

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Singapur5
China4
España3
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Corea del Sur1
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Inca8
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Singapore5
Hanoi5
Hefei4
Seoul3
Campo Grande2
Central2
Goiânia2
Ho Chi Minh City2

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Inca2
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Hanoi1
Central1