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Self-trapping in B-doped amorphous Si: Intrinsic origin of low acceptor efficiency	614

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Fevereiro 2025	2
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Janeiro 2025

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China	19
Brasil	19
Vietnã	10
Cingapura	4
Austrália	1
Argélia	1
Espanha	1
França	1
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	1

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China	3
Estados Unidos	2
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Council Bluffs	7
Hanoi	5
Campo Grande	2
Bac Ninh	1
Barretos	1
Bishkek	1
Bloomington	1
Cabo Frio	1
Campinas	1
Campo Mourao	1

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