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Self-trapping in B-doped amorphous Si: Intrinsic origin of low acceptor efficiency	668

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2010_Santos_PRB_81.pdf	361

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Self-trapping in B-doped amorphous Si: Intrinsic origin of low acceptor efficiency	111

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Maio 2025	12
Junho 2025	45
Julho 2025	8
Agosto 2025	19
Setembro 2025	14
Outubro 2025	13
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Maio 2025

1
Junho 2025

3
Julho 2025

4
Agosto 2025

4
Setembro 2025

10
Outubro 2025

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Principais visualizações por país

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Estados Unidos	29
Brasil	21
Vietnã	12
China	12
Cingapura	10
Espanha	9
Coreia do Sul	3
França	2
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	2
Rússia	2

Países con más descargas

	Descargas
Estados Unidos	5
Cingapura	5
China	4
Espanha	3
Vietnã	1
Coreia do Sul	1
França	1
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	1

Principais visualizações por cidade

	Visualizações
Inca	8
Council Bluffs	6
Singapore	5
Hanoi	5
Hefei	4
Seoul	3
Campo Grande	2
Central	2
Goiânia	2
Ho Chi Minh City	2

Ciudades con más descargas

	Descargas
Inca	2
Singapore	2
Hanoi	1
Central	1