El deseo de conseguir dispositivos cada vez más pequeños basados en la
tecnología CMOS (ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor),ha desembocado en algunos problemas como son los niveles de corrientes de fuga.Durante los últimos años, se han realizado muchas investigaciones para encontrar dieléctricos de alta permitividad que sustituyan a SiO2 y SiON como aislantes en transistores MOS. A día de hoy, se están usando varias técnicas con este objetivo (curvas C-V,Transitorios de tensión de banda plana (FTB) o
la Técnica de transitorios de conductancia (GTT)).En este documento, se va a explicar cómo se realizan estas técnicas y los resultados que obtenemos para diferentes muestras formadas por HfO2 y Al2O3 como asilantes de alta permitividad.
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