Termodinámica de defectos en semiconductores mediante simulaciones atomísticas: defectos en el plano {111} en Si cristalino

Abstract

El objetivo de este TFG es estudiar a través de simulaciones atomísticas defectos de intersticiales precursores de los defectos extensos observados experimentalmente en silicio. Se analizarán en términos de su energía, estructura, simetría, modos normales de vibración y niveles electrónicos que introducen en el gap del semiconductor. Para ello se realizará una caracterización termodinámica de los defectos, que comprende el uso de simulaciones de dinámica molecular así como el estudio de la entropía vibracional y la simetría de los defectos, y una caracterización electrónica mediante simulaciones ab initio. En este trabajo se emplean los códigos de simulación paralelos LAMMPS, para la ejecución de simulaciones de dinámica molecular, y VASP, que permite realizar cálculos de tipo ab initio.