El grabado seco por Plasma Inducido (ICP) permite fabricar estructuras con alta relación de aspecto en semiconductores. En particular, es bastante común fabricar mediante este procedimiento guías de onda y cavidades para los láseres de diodo. En este trabajo, se hace un estudio de guías de onda fabricadas por Plasma Inducido (Inductively Coupled Plasma-ICP) en InP mediante la técnica de catodoluminiscencia (CL), resuelta espectral y espacialmente. Los efectos secundarios del grabado seco son la formación de defectos y la introducción de tensiones mecánicas residuales que tienen efectos negativos en la propagación de la luz, al modificar el índice de refracción por efecto fotoelástico, y en la polarización de la luz. En este trabajo, se presenta la descripción de la técnica de grabado, el fundamento teórico que sirve como base para analizar las medidas de CL, así como resultados obtenidos, su discusión y perspectivas futuras.
Inductively Coupled Plasma etching (ICP) permits the fabrication of structures with high aspect ratio in semiconductors. Particularly, it is currently used for the fabrication of waveguides and cavities for diode lasers. We used cathodoluminiscence (CL) to study the impact of the ICP etching in InP. The secondary effects of dry etching are the formation of defects and residual mechanical stresses which have negative effects in the light propagation because of the modification of the refractive index by photoelastic effect. In this work, the ICP process is described, the principles of the CL technique are provided, the experimental results are presented and discussed, and, finally, future perspectives are mentioned.
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