El desarrollo de tecnologías de la información y su constante crecimiento han llevado
a la necesidad de diseñar y fabricar dispositivos electrónicos cada vez más pequeños
y rápidos. Es por ello por lo que se requieren de modelos y metodologías para la
extracción de sus parámetros que sean de utilidad a la hora de fabricar estos
dispositivos y los posteriores circuitos integrados. En este trabajo se realizará una
revisión de los modelos más utilizados para el transistor MOSFET así como de
algunos métodos de extracción de parámetros aplicados para este dispositivo.
Adicionalmente, se comprobará el uso de estas técnicas mediante la medición de
ciertos parámetros de un transistor MOSFET.
The development of the information technology and its constant growth have led to
the need of design and create shorter and faster electronic devices. As a result of
this demand, useful models and parameter extraction methodologies are required
in order to fabricate these devices and the following integrated circuit. The aim of
this project is to make a review of the more used models for the MOSFET as well as
the parameter extraction methods applied to this devices.
In addition, some of this techniques will be corroborated by the measurement of
few parameters of a particular MOSFET.
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