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Resistive switching properties of atomic layer deposited ZrO2-HfO2 thin films538

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dicembre 20249
gennaio 202513
febbraio 20258
marzo 20251
aprile 20253
maggio 2025105
giugno 202580
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  • dicembre 2024
    5
  • gennaio 2025
    8
  • febbraio 2025
    7
  • marzo 2025
    14
  • aprile 2025
    2
  • maggio 2025
    5
  • giugno 2025
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Stati Uniti170
Russia8
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Corea del Sud5
Venezuela4
India4
Francia3
Singapore3
Cina3
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Stati Uniti18
Cina8
Corea del Sud5
Francia2
Vietnam1
Venezuela1
Singapore1

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Council Bluffs6
Yuseong-gu3
Hanoi2
Helsinki2
Mumbai2
Ashburn2
Bhiwandi1
Bien Hoa1
Brasília1
Colombo1

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Ashburn7
Yuseong-gu4
Hanoi1