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Using current pulses to control the intermediate conductance states in hafnium oxide-based RRAM devices645

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Brésil27
Russie15
Vietnam11
Chine10
Espagne9
Singapour4
Vénézuela4
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Inde2
Espagne1
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Consultations : palmarès par ville

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Inca8
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Hefei3
Ho Chi Minh City3
Singapore3
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Council Bluffs2
Frankfurt am Main2
Haiphong2
Huangpu2

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Ashburn4
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