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The role of defects in the resistive switching behavior of Ta2O5-TiO2-based metal–insulator–metal (MIM) devices for memory applications	353

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Consultations : palmarès par pays

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Etats-Unis	37
Singapour	9
Corée du Sud	8
Taiwan	5
Chine	4
Russie	2
Allemagne	1
Royaume-Uni	1
Hong-Kong	1
Indonésie	1

Países con más descargas

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Etats-Unis	10
Taiwan	2
Chine	1
Hong-Kong	1
Indonésie	1

Consultations : palmarès par ville

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Ashburn	16
Singapore	6
Taipei	5
Santa Clara	3
Houston	3
Shanghai	2
Xi'an	2
Prineville	2
Indianola	1
Jakarta	1

Ciudades con más descargas

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Ashburn	3
Taipei	1
Prineville	1
Indianola	1
Jakarta	1