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The role of defects in the resistive switching behavior of Ta2O5-TiO2-based metal–insulator–metal (MIM) devices for memory applications	387

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Consultations : palmarès par pays

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Etats-Unis	46
Russie	12
Singapour	10
Chine	3
Espagne	1
Hong-Kong	1
Indonésie	1
Malaisie	1
Togo	1

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Etats-Unis	10
Russie	2
Chine	2
Hong-Kong	2
Indonésie	1
Malaisie	1

Consultations : palmarès par ville

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Ashburn	18
Singapore	7
Santa Clara	4
Boardman	4
Houston	3
Shanghai	2
Prineville	2
Indianola	1
Jakarta	1
Kowloon	1

Ciudades con más descargas

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Ashburn	5
Prineville	1
Shanghai	1
Indianola	1
Jakarta	1