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The role of defects in the resistive switching behavior of Ta2O5-TiO2-based metal–insulator–metal (MIM) devices for memory applications	353

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febbraio 2024	7
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febbraio 2024

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Singapore	6
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Santa Clara	3
Houston	3
Shanghai	2
Xi'an	2
Prineville	2
Indianola	1
Jakarta	1

Ciudades con más descargas

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Ashburn	3
Taipei	1
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