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dc.contributor.advisorDueñas Carazo, Salvador es
dc.contributor.authorDíez García, Carlos
dc.contributor.editorUniversidad de Valladolid. Facultad de Ciencias es
dc.date.accessioned2021-11-29T15:22:44Z
dc.date.available2021-11-29T15:22:44Z
dc.date.issued2021
dc.identifier.urihttps://uvadoc.uva.es/handle/10324/50664
dc.description.abstractLa creciente demanda por parte de los sofisticados algoritmos basados en sistemas neuronales implementados por las inteligencias artificiales y el aprendizaje automático, han promovido numerosas investigaciones y caracterizaciones de materiales en busca de propiedades que suplan con las exigencias tecnológicas que dichos sistemas demandan. En este contexto adquieren el foco de atención las memorias emergentes RRAM, ya que además de presentar mejor escalabilidad, durabilidad y eficiencia energética, hay presencia de estados intermedios. Con el propósito de servir como herramienta de apoyo a la caracterización de materiales con esta propiedad, y obtener estados intermedios no obtenidos en mediciones experimentales, se ha desarrollado el software DRM. Este software permite simular las curvas características del material ante variaciones arbitrarias del campo eléctrico al que se someta al dispositivo.es
dc.description.abstractThe growing demand for sophisticated algorithms based on neural systems implemented by artificial intelligences and machine learning, have promoted numerous investigations and characterizations of materials in search of properties that meet the technological demands that these systems demand. In this context, the RRAM emergent memories acquire the focus of attention, since in addition to presenting better scalability, durability and energy efficiency, there is the presence of intermediate states. In order to serve as a support tool for the characterization of materials with this property, and to obtain intermediate states not obtained in experimental measurements, the DRM software has been developed. This software allows simulating the characteristic curves of the material in the event of arbitrary variations in the electric field to which the device is subjected.es
dc.format.mimetypeapplication/pdfes
dc.language.isospaes
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/*
dc.subject.classificationRRAMes
dc.subject.classificationConmutación Resistivaes
dc.subject.classificationComputación neuromórficaes
dc.titleDeterminación de Dynamic-Route-Maps en Memristores RRAM a partir de medidas experimentales de parámetros de admitanciaes
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesises
dc.description.degreeGrado en Físicaes
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internacional*


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