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Título
A cathodoluminescence study on the diffusion length in InGaAlP/InGaP/GaAs heterostructures
Autor
Congreso
Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP) XVIII
Año del Documento
2019
Documento Fuente
Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP) XVIII, Berlín, Alemania, 2019
Abstract
- Carrier recombination is critical for the operation of many devices, e.g. solar cells, light emitting diodes, and laser diodes. - The diffusion length depends on the band structure of the material, the crystal quality, alloy scattering, doping, and the presence of defects
Patrocinador
Proyecto de Investigación ENE2017-89561-C4-3-R (MCIN)
Proyecto de Investigación VA283P18 (Junta de Castilla y León)
Idioma
spa
URI
https://uvadoc.uva.es/handle/10324/52844
Tipo de versión
info:eu-repo/semantics/updatedVersion
Derechos
openAccess
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Tamaño:
1.770Mb
Formato:
Adobe PDF
Descripción:
Poster
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