Modelado atomístico de defectos en Carburo de Silicio

Abstract

El desarrollo de las nuevas aplicaciones basadas en semiconductores ha puesto de manifiesto la necesidad de avanzar en los dispositivos de potencia a partir de materiales como el SiC. Comparada con el Si, su tecnología está todavía en estados primitivos y muchos aspectos permanecen todavía inexplorados. El objetivo de este trabajo es estudiar los defectos producidos por irradiación en SiC, haciendo especial énfasis en la búsqueda de defectos relacionados con la pareja de anti sitios. Hemos contrastado con Dinámica Molecular Clásica la validez de diferentes potenciales empíricos utilizados en la descripción del SiC, mediante la comparación con datos experimentales y simulaciones ab initio concluyendo que los potenciales de Tersoff y EA son los que mejor imitan las propiedades analizadas. Hemos realizado simulaciones en las que se reproducen los eventos principales en una irradiación, a partir de las cuales se han clasificado e identificado los defectos generados en las redes, mostrando que los defectos más habituales son los ´átomos intersticiales de carbono y que la pareja de antisitios es un defecto que puede producirse directamente en los procesos de irradiación. Hemos caracterizado el par de antisitios, del que hemos encontrado que se trata de un defecto muy estable. Nuestros resultados relativos a la formación y estabilidad de la pareja de antisitios dan coherencia a las hipótesis que asignan a este defecto un papel significativo en los procesos de amortización y en la formación de defectos fotoluminiscentes.