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A thorough investigation of the switching dynamics of TiN/Ti/10 nm-HfO2/W resistive memories406

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Dezembro 20248
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Fevereiro 20254
Março 20255
Abril 202532
Maio 2025125
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Finlândia5
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França3
Suécia3

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Valladolid15
Thane3
Hanoi2
Kyiv2
Mumbai2
Ashburn2
Aparecida do Taboado1
Badalona1
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Brussels1

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