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    Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:https://uvadoc.uva.es/handle/10324/63283

    Título
    Caracterización del dañado producido por protones de alta energía en silicio
    Autor
    Armenteros Cosme, Pablo
    Director o Tutor
    López Martín, PedroAutoridad UVA
    Santos Tejido, IvánAutoridad UVA
    Editor
    Universidad de Valladolid. Facultad de CienciasAutoridad UVA
    Año del Documento
    2022
    Titulación
    Grado en Física
    Abstract
    Los dispositivos electrónicos se ven expuestos a radiación de alta energía durante los procesos tecnológicos de fabricación (implantación iónica de dopantes) o bien al trabajar en entornos con radiación en el ambiente. Existen múltiples aplicaciones en las que los dispositivos deben soportar radiación de partículas energéticas ligeras. La electrónica embebida en aplicaciones aeroespaciales se ve sometida a la radiación cósmica, tanto galáctica (procedente de los restos de supernovas lejanas) como solar. El campo magnético de la Tierra nos protege en gran parte de estos rayos cósmicos, pero la tecnología presente en el espacio exterior carece de esta protección, viéndose mucho más expuesta a radiaciones muy energéticas.
    Palabras Clave
    Irradiación
    Silicio
    Protones
    Departamento
    Departamento de Electricidad y Electrónica
    Idioma
    spa
    URI
    https://uvadoc.uva.es/handle/10324/63283
    Derechos
    openAccess
    Collections
    • Trabajos Fin de Grado UVa [30858]
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    Nombre:
    TFG-G6653.pdf
    Tamaño:
    1.151Mb
    Formato:
    Adobe PDF
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