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    Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:https://uvadoc.uva.es/handle/10324/65345

    Título
    Dispersive Phonon Linewidths: TheE2Phonons of ZnO
    Autor
    Manjón, F. J.
    Romero, A. H.
    Widulle, F.
    Lauck, R.
    Cardona, M.
    Serrano Gutiérrez, JorgeAutoridad UVA Orcid
    Año del Documento
    2003
    Editorial
    American Physical Society
    Documento Fuente
    Phys. Rev. Lett. 90, 055510 (2003)
    Zusammenfassung
    Phonon linewidths can exhibit a large variation when either pressure or isotopic masses are changed. These effects yield detailed information about the mechanisms responsible for linewidths and lifetimes, e.g., anharmonicity or isotopic disorder. We report Raman measurements of the linewidth of the upper E2 phonons of ZnO crystals with several isotopic compositions and their dependence on pressure. Changes by a factor of 12 are observed at a given temperature. Comparison with calculated densities of one-phonon states, responsible for isotope scattering, and of two-phonon states, responsible for anharmonic decay, yields a consistent picture of these phenomena. Isotopic disorder broadening by 7  cm−1 is found in samples with mixed 16O–18O content, whereas the anharmonic processes involve decay into sums and differences of two phonons.
    ISSN
    0031-9007
    Revisión por pares
    SI
    DOI
    10.1103/PhysRevLett.90.055510
    Patrocinador
    Fonds der Chemischen Industrie
    CONACYT
    Universitat Polytechnica de Valencia
    Idioma
    eng
    URI
    https://uvadoc.uva.es/handle/10324/65345
    Tipo de versión
    info:eu-repo/semantics/publishedVersion
    Derechos
    openAccess
    Aparece en las colecciones
    • DEP32 - Artículos de revista [284]
    Zur Langanzeige
    Dateien zu dieser Ressource
    Nombre:
    PhysRevLett.90.055510.pdf
    Tamaño:
    158.5Kb
    Formato:
    Adobe PDF
    Descripción:
    Artículo en PDF
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