Debido a que estamos cada vez más cerca de alcanzar el límite tecnológico en el ámbito de la
computación (con la tecnología actual de transistores), se han explorado otras tecnologías, entre
las que destacan los memristores o memorias resistivas (RRAM), las cuales poseen una serie
de características muy útiles para su aplicación en computación neuromórfica. En este trabajo
analizaremos en profundidad los mecanismos de conducción subyacentes al fenómeno de resistive
switching. Para ello, caracterizaremos una muestra TiN/Ti/10nm – HfO2/W en un gran rango
de temperaturas, analizando la dependencia de la corriente que atraviesa el dispositivo con el
voltaje aplicado y con la temperatura.
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