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Forming and Resistive Switching of HfO₂-Based RRAM Devices at Cryogenic Temperature418

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juillet 202522
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septembre 202530
octobre 202533
novembre 20259
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Consultations : palmarès par pays

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Etats-Unis144
Chine18
Espagne12
Brésil9
Russie6
France6
Vénézuela5
Singapour5
Royaume-Uni3
Hong-Kong3

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Etats-Unis42
Chine3
Hong-Kong3
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Singapour2
Espagne2
Vénézuela1
Royaume-Uni1
Brésil1

Consultations : palmarès par ville

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Council Bluffs17
Inca8
Hefei4
Shanghai3
Singapore3
Central3
Brussels2
Seoul2
Beijing2
Ankara1

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Council Bluffs4
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Shanghai1
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