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Forming and Resistive Switching of HfO₂-Based RRAM Devices at Cryogenic Temperature	41

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Principais visualizações por país

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Estados Unidos	21
Espanha	7
Alemanha	3
Brasil	2
China	2
Bélgica	2
Canadá	1
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	1
Indonésia	1
Holanda	1

Países con más descargas

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China	5
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	4
Estados Unidos	3
Espanha	2
Holanda	2
Canadá	1
Alemanha	1
Indonésia	1
Bélgica	1

Principais visualizações por cidade

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Cumming	2
Philadelphia	2
Valladolid	2
Brussels	2
Amsterdam	1
Atlanta	1
Beijing	1
Bellaterra	1
Cedar Knolls	1
Central	1

Ciudades con más descargas

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Philadelphia	2
Central	2
Amsterdam	1