En este TFG realizamos un modelado computacional de defectos en materiales de
interés en tecnología electrónica, centrándonos en el diamante. Para ello, realizamos un
estudio comparativo de potenciales interatómicos que describen, mediante simulaciones de dinámica molecular, las propiedades de este material. Tras encontrar un potencial adecuado, realizamos una caracterización termodinámica de defectos intrínsecos
del diamante. Obtenemos la energía de formación de cada defecto, el volumen de formación, las entropías configuracional y vibracional, y finalmente la energía libre de
Gibbs.
In this project, we perform computational modeling of defects of interest in electronic technology, with a focus on diamond. We conduct a comparative study of interatomic potentials that describe, through molecular dynamics simulations, the properties
of this material. After finding an appropriate potential, we perform a thermodynamical characterization of intrinsic diamond defects. We compute the formation energy of
every defect, the formation volume, both configurational and vibrational entropy and
we finish with the Gibbs free energy.
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