Estudio de capas delgadas de dieléctricos de alta permitividad depositadas por ALD

Abstract

El impulso acelerado de la industria microelectrónica ha conducido al empleo de dieléctricos de alta permitividad (K) como una alternativa para continuar el escalado. Tanto en aplicaciones espaciales, médicas, como de física de alta energía los transistores son sometidos a ambientes de fuertes irradiaciones provocando una degradación progresiva de los dispositivos. La respuesta de la fiabilidad de los dieléctricos de alta K frente la irradiación determinará su viabilidad e incorporación a circuitos integrados comerciales. En este trabajo se estudia el impacto de irradiaciones de una energía de 2MeV sobre dieléctricos de alta K de Al2O3 de 5.9nm de grosor depositados por ALD (Atomic Layer Deposition), sobre sustrato de Si tipo p. Fueron analizadas muestras expuestas a diferentes dosis de irradiación del orden de 1014e=cm2, 1015e=cm2 y 1016e=cm2. Se realizó un estudio de la variación experimentada por la conductancia en función de la dosis de irradiación, la frecuencia y la temperatura mediante de la técnica de Espectroscopía de Admitancia.