RT info:eu-repo/semantics/masterThesis
T1 Estudio de capas delgadas de dieléctricos de alta permitividad depositadas por ALD
A1 Fuentes Díaz, Lissa María
A2 Universidad de Valladolid. Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación
K1 Dieléctricos
K1 Microelectrónica - Materiales
AB El impulso acelerado de la industria microelectrónica ha conducido al empleo dedieléctricos de alta permitividad (K) como una alternativa para continuar el escalado.Tanto en aplicaciones espaciales, médicas, como de física de alta energía los transistoresson sometidos a ambientes de fuertes irradiaciones provocando una degradaciónprogresiva de los dispositivos. La respuesta de la fiabilidad de los dieléctricos de altaK frente la irradiación determinará su viabilidad e incorporación a circuitos integradoscomerciales. En este trabajo se estudia el impacto de irradiaciones de una energíade 2MeV sobre dieléctricos de alta K de Al2O3 de 5.9nm de grosor depositados porALD (Atomic Layer Deposition), sobre sustrato de Si tipo p. Fueron analizadas muestrasexpuestas a diferentes dosis de irradiación del orden de 1014e=cm2, 1015e=cm2 y1016e=cm2. Se realizó un estudio de la variaciónexperimentada por la conductancia en función de la dosis de irradiación, la frecuenciay la temperatura mediante de la técnica de Espectroscopía de Admitancia.
YR 2014
FD 2014
LK http://uvadoc.uva.es/handle/10324/8036
UL http://uvadoc.uva.es/handle/10324/8036
LA spa
NO Departamento de Electricidad y Electrónica
DS UVaDOC
RD 20-may-2024