Estudio de los mecanismos de generación de dañado en SiGe y SiC

Abstract

El objetivo de este trabajo es estudiar los mecanismos de generación de dañado en SiGe y SiC en su fase zinc-blenda desde un punto de vista atomístico. Para ello, se ha desarrollado una metodología de simulaciones de Dinámica Molecular Clásica, en las que se ha empleado un potencial empírico de Tersoff multicomponente para describir la interacción entre átomos. Primero, se han calculado computacionalmente las constantes elásticas y parámetros de red del Si, C, Ge, SiGe y SiC. Después, se han llevado a cabo diferentes tipos de simulaciones con el objetivo de estudiar los fenómenos de generación de dañado en dichos semiconductores, a través de la fusión local de regiones en las que se ha depositado una determinada energía cinética. Finalmente, se ha realizado un análisis de las regiones distorsionadas en las redes atómicas y de las energías involucradas en la formación de las mismas que permite describir los mecanismos de generación de dañado en cada material. Esta información es útil para identificar y comprender el comportamiento de los defectos en SiGe y SiC, y puede ser aplicada para diseñar dispositivos electrónicos funcionales.