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Título
Estudio de los mecanismos de generación de dañado en SiGe y SiC
Autor
Director o Tutor
Año del Documento
2017
Titulación
Grado en Física
Resumen
El objetivo de este trabajo es estudiar los mecanismos de generación de dañado en SiGe y
SiC en su fase zinc-blenda desde un punto de vista atomístico. Para ello, se ha desarrollado una metodología de simulaciones de Dinámica Molecular Clásica, en las que se ha empleado un potencial empírico de Tersoff multicomponente para describir la interacción entre átomos. Primero, se han
calculado computacionalmente las constantes elásticas y parámetros de red del Si, C, Ge, SiGe y
SiC. Después, se han llevado a cabo diferentes tipos de simulaciones con el objetivo de estudiar
los fenómenos de generación de dañado en dichos semiconductores, a través de la fusión local de
regiones en las que se ha depositado una determinada energía cinética. Finalmente, se ha realizado
un análisis de las regiones distorsionadas en las redes atómicas y de las energías involucradas en la
formación de las mismas que permite describir los mecanismos de generación de dañado en cada
material. Esta información es útil para identificar y comprender el comportamiento de los defectos
en SiGe y SiC, y puede ser aplicada para diseñar dispositivos electrónicos funcionales.
Palabras Clave
Dinámica molecular clásica
SiGe
SiC
Mecanismos de generación de dañado
Idioma
spa
Derechos
openAccess
Aparece en las colecciones
- Trabajos Fin de Grado UVa [28700]
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