Modelado de SiGe mediante potenciales empíricos

Abstract

El objetivo de este trabajo es valorar la adecuación de diversos potenciales empíricos para modelar la aleación de silicio y germanio (SiGe), debido a su empleo en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos. Las simulaciones se ejecutarán con el software de simulación paralelo LAMMPS, que es un código empleado para modelar sistemas de partículas a escala atómica. En el desarrollo de nuestra investigación, lo primero sería hacer un estudio recopilatorio de los diversos potenciales que nos ofrecen una descripción adecuada para Si y Ge con estructura tipo diamante. Posteriormente determinaremos distintas propiedades fundamentales como el parámetro de red, energía cohesiva, temperatura de fusión, constantes elásticas y ciertas propiedades elásticas (radio de Poisson y los módulos de comprensibilidad y cizalladura) para las distintas parametrizaciones encontradas. Tras este proceso de caracterización del Si y el Ge, seleccionamos los potenciales que mejores resultados aportan en comparación a los valores experimentales. Finalmente se estudia el comportamiento de las distintas superficies tecnológicamente importantes para Si, Ge y SiGe, semiconductor al que está orientado este TFG, para valorar los resultados y su posterior viabilidad.