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    Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:http://uvadoc.uva.es/handle/10324/35199

    Título
    Defects created by chemical and laser texturization on the surface of mc-Si wafers studied by optical means [Poster]
    Autor
    Vera, David
    Mass, Julio
    Manotas, Milton
    Cabanzo, Rafael
    Rodríguez Conde, Sofía
    Vicente, Jose María
    Martínez Sacristán, ÓscarAutoridad UVA Orcid
    Congreso
    17th Conference on Defects (DRIP XVII)
    Año del Documento
    2017
    Documento Fuente
    17th International Conference DRIP: Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors, 8th to the 12th of October 2017, Valladolid, Spain
    Resumen
    Chemical texturization of mc-Si wafer surfaces produces different patterns, allowing for a diffuse surface which increases the light absorption and the final cell efficiency. Alkaline chemical texturizations are typical for c-Si. Chemical texturizations based on the HF:HNO3 solution are a general option for mc-Si, giving different surface morphology textures: pits, moth eyes, grooves, etc. Laser texturization processes have been also explored. Texturization processes can introduce detrimental defects in the material, e.g. laser texturization can produce residual stresses or even amorphous phases.
    Patrocinador
    Ministerio de Economía, Industria y Competitividad (Project ENE2014-56069-C4-4-R)
    Nota
    Póster
    Version del Editor
    http://drip17.org/home/
    Idioma
    eng
    URI
    http://uvadoc.uva.es/handle/10324/35199
    Derechos
    openAccess
    Aparece en las colecciones
    • DEP32 - Comunicaciones a congresos, conferencias, etc. [56]
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    Ficheros en el ítem
    Nombre:
    10_DRIP_Defects-laser-texturization.pdf
    Tamaño:
    4.082Mb
    Formato:
    Adobe PDF
    Thumbnail
    Visualizar/Abrir
    Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 InternationalLa licencia del ítem se describe como Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International

    Universidad de Valladolid

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