• español
  • English
  • français
  • Deutsch
  • português (Brasil)
  • italiano
    • español
    • English
    • français
    • Deutsch
    • português (Brasil)
    • italiano
    • español
    • English
    • français
    • Deutsch
    • português (Brasil)
    • italiano
    JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

    Listar

    Todo UVaDOCComunidadesPor fecha de publicaciónAutoresMateriasTítulos

    Mi cuenta

    Acceder
    Listar Grupo de Caracterización de Materiales y Dispositivos Electrónicos (GCME) por tema 
    •   UVaDOC Principal
    • PRODUCCIÓN CIENTÍFICA
    • Grupos de Investigación
    • Grupo de Caracterización de Materiales y Dispositivos Electrónicos (GCME)
    • Listar Grupo de Caracterización de Materiales y Dispositivos Electrónicos (GCME) por tema
    •   UVaDOC Principal
    • PRODUCCIÓN CIENTÍFICA
    • Grupos de Investigación
    • Grupo de Caracterización de Materiales y Dispositivos Electrónicos (GCME)
    • Listar Grupo de Caracterización de Materiales y Dispositivos Electrónicos (GCME) por tema
    • español
    • English
    • français
    • Deutsch
    • português (Brasil)
    • italiano

    ListarGrupo de Caracterización de Materiales y Dispositivos Electrónicos (GCME) por tema "Almacenamiento multinivel"

    • 0-9
    • A
    • B
    • C
    • D
    • E
    • F
    • G
    • H
    • I
    • J
    • K
    • L
    • M
    • N
    • O
    • P
    • Q
    • R
    • S
    • T
    • U
    • V
    • W
    • X
    • Y
    • Z

    Ordenar por:

    Orden:

    Resultados:

    Mostrando ítems 1-2 de 2

    • título
    • fecha de envío
    • ascendente
    • descendente
    • 5
    • 10
    • 20
    • 40
    • 60
    • 80
    • 100
      • Thumbnail

        Current pulses to control the conductance in RRAM devices 

        García García, HéctorAutoridad UVA; Dueñas Carazo, SalvadorAutoridad UVA; González Ossorio, ÓscarAutoridad UVA; Castán Lanaspa, María HelenaAutoridad UVA (2020)
      • Thumbnail

        Using current pulses to control the intermediate conductance states in hafnium oxide-based RRAM devices 

        García García, HéctorAutoridad UVA; González Ossorio, ÓscarAutoridad UVA; Dueñas Carazo, SalvadorAutoridad UVA; Castán Lanaspa, María HelenaAutoridad UVA (2020)

        Universidad de Valladolid

        Powered by MIT's. DSpace software, Version 5.10