El objetivo de este trabajo es estudiar a través de simulaciones computacionales
la correlación entre las características estructurales el silicio amorfo
y sus propiedades vibracionales. Asimismo, se presentan algunos de los modelos
existentes para poder obtener la señal Raman del silicio amorfo a partir
de su densidad de fonones. Se comparan las señales Raman calculadas con
las medidas experimentales y se correlacionan con las características estructurales
del silicio amorfo.
The aim of this work is to study through computational simulations the
correlation between the structural characteristics of amorphous silicon and
its vibrational properties. Moreover, the two model existing in the literature
for obtaining the Raman signal of amorphous silicon from its phonon density
of states are considered. Calculated Raman signals are compared with
experimental measures and correlated with the structural characteristics of
the amorphous silicon.
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