Caracterización estructural de silicio amorfo mediante modelado computacional

Abstract

El objetivo de este trabajo es estudiar a través de simulaciones computacionales la correlación entre las características estructurales el silicio amorfo y sus propiedades vibracionales. Asimismo, se presentan algunos de los modelos existentes para poder obtener la señal Raman del silicio amorfo a partir de su densidad de fonones. Se comparan las señales Raman calculadas con las medidas experimentales y se correlacionan con las características estructurales del silicio amorfo.

The aim of this work is to study through computational simulations the correlation between the structural characteristics of amorphous silicon and its vibrational properties. Moreover, the two model existing in the literature for obtaining the Raman signal of amorphous silicon from its phonon density of states are considered. Calculated Raman signals are compared with experimental measures and correlated with the structural characteristics of the amorphous silicon.