Modelado y caracterización del transistor MOSFET: extracción de parámetros

Abstract

El desarrollo de tecnologías de la información y su constante crecimiento han llevado a la necesidad de diseñar y fabricar dispositivos electrónicos cada vez más pequeños y rápidos. Es por ello por lo que se requieren de modelos y metodologías para la extracción de sus parámetros que sean de utilidad a la hora de fabricar estos dispositivos y los posteriores circuitos integrados. En este trabajo se realizará una revisión de los modelos más utilizados para el transistor MOSFET así como de algunos métodos de extracción de parámetros aplicados para este dispositivo. Adicionalmente, se comprobará el uso de estas técnicas mediante la medición de ciertos parámetros de un transistor MOSFET.

The development of the information technology and its constant growth have led to the need of design and create shorter and faster electronic devices. As a result of this demand, useful models and parameter extraction methodologies are required in order to fabricate these devices and the following integrated circuit. The aim of this project is to make a review of the more used models for the MOSFET as well as the parameter extraction methods applied to this devices. In addition, some of this techniques will be corroborated by the measurement of few parameters of a particular MOSFET.