Estudio de los campos de tensión en zonas dañadas por implantación iónica mediante simulaciones atomísticas

Abstract

En este Trabajo Fin de Grado se ha estudiado el dañado producido en la implantación iónica de átomos de silicio en un sustrato de silicio mediante el desarrollo de un método para analizar el strain generado. Empleando el método de Dinámica Molecular Clásica con un potencial que permita describir tanto las interacciones a alta energía como las propiedades del silicio en reposo, se han realizado simulaciones de este proceso a bajas energías (1 keV) mediante LAMMPS. Se han desarrollado programas de análisis para calcular funciones de distribución radial e histogramas a partir de los resultados de las simulaciones, con el objetivo de buscar correlaciones entre las diversas magnitudes analizadas.

In this Final Degree Project it has been studied the damage caused by the implantation of silicon ions in a silicon substrate, through the development of a method to analyze the strain generated in this process. Using the Classical Molecular Dynamics method with a potential that enables to describe both high-energy interactions and the properties of silicon at rest, it has been carried out simulations of this technique at low energies (1 keV) by LAMMPS. It has been developed analysis programs to calculate radial distribution functions and histograms from the results of the simulations, with the aim of nding correlations between the several magnitudes analyzed.