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    Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:http://uvadoc.uva.es/handle/10324/44914

    Título
    Estudio de los campos de tensión en zonas dañadas por implantación iónica mediante simulaciones atomísticas
    Autor
    Herguedas Alonso, Alicia Estela
    Director o Tutor
    Aboy Cebrián, MaríaAutoridad UVA
    Santos Tejido, IvánAutoridad UVA
    Editor
    Universidad de Valladolid. Facultad de CienciasAutoridad UVA
    Año del Documento
    2020
    Titulación
    Grado en Física
    Résumé
    En este Trabajo Fin de Grado se ha estudiado el dañado producido en la implantación iónica de átomos de silicio en un sustrato de silicio mediante el desarrollo de un método para analizar el strain generado. Empleando el método de Dinámica Molecular Clásica con un potencial que permita describir tanto las interacciones a alta energía como las propiedades del silicio en reposo, se han realizado simulaciones de este proceso a bajas energías (1 keV) mediante LAMMPS. Se han desarrollado programas de análisis para calcular funciones de distribución radial e histogramas a partir de los resultados de las simulaciones, con el objetivo de buscar correlaciones entre las diversas magnitudes analizadas.
     
    In this Final Degree Project it has been studied the damage caused by the implantation of silicon ions in a silicon substrate, through the development of a method to analyze the strain generated in this process. Using the Classical Molecular Dynamics method with a potential that enables to describe both high-energy interactions and the properties of silicon at rest, it has been carried out simulations of this technique at low energies (1 keV) by LAMMPS. It has been developed analysis programs to calculate radial distribution functions and histograms from the results of the simulations, with the aim of nding correlations between the several magnitudes analyzed.
    Palabras Clave
    Implantación iónica
    Simulaciones atomísticas
    Idioma
    spa
    URI
    http://uvadoc.uva.es/handle/10324/44914
    Derechos
    openAccess
    Aparece en las colecciones
    • Trabajos Fin de Grado UVa [30838]
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    Nombre:
    TFG-G4740.pdf
    Tamaño:
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    Formato:
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