Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:https://uvadoc.uva.es/handle/10324/63231
Título
Técnicas ópticas de caracterización de semiconductores: Microscopía Raman y Fotoluminiscencia. Aplicación a nuevos óxidos para aplicaciones optoelectrónicas
Director o Tutor
Año del Documento
2023
Titulación
Grado en Física
Resumo
Los últimos avances en la industria optoelectrónica han llevado a la aparición de nuevas
generaciones de semiconductores, siendo las últimas las de los semiconductores de energía
de gap grande, como el ZnO, y ultra grande, como el Ga2O3. Es importante conocer las
características de estos materiales para poder utilizarlos tecnológicamente. De entre las
distintas técnicas de caracterización de materiales, en este TFG nos hemos centrado en
la espectroscopía Raman y la Fotoluminiscencia. Se ha pretendido comprender las bases
conceptuales de ambas técnicas y las partes que componen un equipo micro-Raman/micro-
PL, así como las posibilidades de ambas técnicas para la caracterización de diferentes
semiconductores de gap grande y ultra grande. En primer lugar, usamos estas técnicas
espectroscópicas para caracterizar a semiconductores bien conocidos como el Si, el GaAs,
el AlGaAs y el GaN; y posteriormente para realizar un breve estudio de tres óxidos
semiconductores de gap grande y ultra grande, el ZnO, el MgZnO y el Ga2O3. Recent advances in the optoelectronics industry have led to the emergence of new semiconductor
generations, the latest being wide band gap, as ZnO, and ultra-wide band gap,
as Ga2O3, semiconductors. It is important to properly know the characteristics of these
materials to use them in technological applications. Among the different experimental
techniques used for the characterization of materials, we focused on Raman spectroscopy
and Photoluminescence in this TFG. The aim of this work is to understand the conceptual
basis of both techniques and the parts that make up a micro-Raman/micro-PL equipment,
as well as the possibilities of both techniques for the characterization of different large
and ultra-large gap semiconductors. These spectroscopic techniques were first applied to
well-known semiconductors such as Si, GaAs, AlGaAs and GaN; and then they were used
to carry out a brief study of three large and ultra-large gap semiconductor oxides: ZnO,
MgZnO and Ga2O3.
Palabras Clave
Semiconductores
Espectroscopía Raman
Fotoluminiscencia
Departamento
Departamento de Física de la Materia Condensada, Cristalografía y Mineralogía
Departamento de Electricidad y Electrónica
Departamento de Electricidad y Electrónica
Idioma
spa
Derechos
openAccess
Aparece en las colecciones
- Trabajos Fin de Grado UVa [28807]
Arquivos deste item
![Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internacional](/themes/Mirage2//images/creativecommons/cc-by-nc-nd.png)