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dc.contributor.advisorLópez Martín, Pedro es
dc.contributor.advisorSantos Tejido, Iván es
dc.contributor.authorArmenteros Cosme, Pablo
dc.contributor.editorUniversidad de Valladolid. Facultad de Ciencias es
dc.date.accessioned2023-11-28T14:35:04Z
dc.date.available2023-11-28T14:35:04Z
dc.date.issued2022
dc.identifier.urihttps://uvadoc.uva.es/handle/10324/63283
dc.description.abstractLos dispositivos electrónicos se ven expuestos a radiación de alta energía durante los procesos tecnológicos de fabricación (implantación iónica de dopantes) o bien al trabajar en entornos con radiación en el ambiente. Existen múltiples aplicaciones en las que los dispositivos deben soportar radiación de partículas energéticas ligeras. La electrónica embebida en aplicaciones aeroespaciales se ve sometida a la radiación cósmica, tanto galáctica (procedente de los restos de supernovas lejanas) como solar. El campo magnético de la Tierra nos protege en gran parte de estos rayos cósmicos, pero la tecnología presente en el espacio exterior carece de esta protección, viéndose mucho más expuesta a radiaciones muy energéticas.es
dc.description.sponsorshipDepartamento de Electricidad y Electrónicaes
dc.format.mimetypeapplication/pdfes
dc.language.isospaes
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/*
dc.subject.classificationIrradiaciónes
dc.subject.classificationSilicioes
dc.subject.classificationProtoneses
dc.titleCaracterización del dañado producido por protones de alta energía en silicioes
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesises
dc.description.degreeGrado en Físicaes
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internacional*


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