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dc.contributor.advisor | López Martín, Pedro | es |
dc.contributor.advisor | Santos Tejido, Iván | es |
dc.contributor.author | Armenteros Cosme, Pablo | |
dc.contributor.editor | Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias | es |
dc.date.accessioned | 2023-11-28T14:35:04Z | |
dc.date.available | 2023-11-28T14:35:04Z | |
dc.date.issued | 2022 | |
dc.identifier.uri | https://uvadoc.uva.es/handle/10324/63283 | |
dc.description.abstract | Los dispositivos electrónicos se ven expuestos a radiación de alta energía durante los procesos tecnológicos de fabricación (implantación iónica de dopantes) o bien al trabajar en entornos con radiación en el ambiente. Existen múltiples aplicaciones en las que los dispositivos deben soportar radiación de partículas energéticas ligeras. La electrónica embebida en aplicaciones aeroespaciales se ve sometida a la radiación cósmica, tanto galáctica (procedente de los restos de supernovas lejanas) como solar. El campo magnético de la Tierra nos protege en gran parte de estos rayos cósmicos, pero la tecnología presente en el espacio exterior carece de esta protección, viéndose mucho más expuesta a radiaciones muy energéticas. | es |
dc.description.sponsorship | Departamento de Electricidad y Electrónica | es |
dc.format.mimetype | application/pdf | es |
dc.language.iso | spa | es |
dc.rights.accessRights | info:eu-repo/semantics/openAccess | es |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ | * |
dc.subject.classification | Irradiación | es |
dc.subject.classification | Silicio | es |
dc.subject.classification | Protones | es |
dc.title | Caracterización del dañado producido por protones de alta energía en silicio | es |
dc.type | info:eu-repo/semantics/bachelorThesis | es |
dc.description.degree | Grado en Física | es |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internacional | * |
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- Trabajos Fin de Grado UVa [30485]
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