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Effects of the voltage ramp rate on the conduction characteristics of HfO2-based resistive switching devices348

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France19
Chine18
Brésil12
Espagne10
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Singapour6
Allemagne4
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Chine1

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Council Bluffs23
Inca7
Hefei5
Shanghai4
Singapore4
Central4
Seoul3
Fleury-Merogis2
Guayaquil2
Ho Chi Minh City2

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Inca2
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