Modelado computacional de defectos en materiales de interés en tecnología electrónica

Abstract

En este TFG realizamos un modelado computacional de defectos en materiales de interés en tecnología electrónica, centrándonos en el diamante. Para ello, realizamos un estudio comparativo de potenciales interatómicos que describen, mediante simulaciones de dinámica molecular, las propiedades de este material. Tras encontrar un potencial adecuado, realizamos una caracterización termodinámica de defectos intrínsecos del diamante. Obtenemos la energía de formación de cada defecto, el volumen de formación, las entropías configuracional y vibracional, y finalmente la energía libre de Gibbs.

In this project, we perform computational modeling of defects of interest in electronic technology, with a focus on diamond. We conduct a comparative study of interatomic potentials that describe, through molecular dynamics simulations, the properties of this material. After finding an appropriate potential, we perform a thermodynamical characterization of intrinsic diamond defects. We compute the formation energy of every defect, the formation volume, both configurational and vibrational entropy and we finish with the Gibbs free energy.