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        Effects of the voltage ramp rate on the conduction characteristics of HfO2-based resistive switching devices 

        Aguirre, F L; González, M B; Jiménez-Molinos, F; Campabadal, F; Roldán, J B; Miranda, E; Castán Lanaspa, María HelenaAutoridad UVA; Dueñas Carazo, SalvadorAutoridad UVA; García García, HéctorAutoridad UVA; García-Ochoa, E.; Vinuesa Sanz, GuillermoAutoridad UVA (2023)
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        Resistive switching properties of atomic layer deposited ZrO2-HfO2 thin films 

        González Ossorio, ÓscarAutoridad UVA; Dueñas Carazo, SalvadorAutoridad UVA; Castán Lanaspa, María HelenaAutoridad UVA; Tamm, Aile; Kalam, Kristjan; Seemen, Helina; Kukli, Kaupo (2018)
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        Study of the set and reset transitions in HfO2-based ReRAM devices using a capacitor discharge 

        García García, HéctorAutoridad UVA; Vinuesa Sanz, GuillermoAutoridad UVA; González Ossorio, ÓscarAutoridad UVA; Sahelices Fernández, BenjamínAutoridad UVA; Castán Lanaspa, María HelenaAutoridad UVA; Dueñas Carazo, SalvadorAutoridad UVA; Bargalló González, Mireia; Campabadal Segura, Francesca (2021)

        Universidad de Valladolid

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