• español
  • English
  • français
  • Deutsch
  • português (Brasil)
  • italiano
    • español
    • English
    • français
    • Deutsch
    • português (Brasil)
    • italiano
    • español
    • English
    • français
    • Deutsch
    • português (Brasil)
    • italiano
    JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

    Ricerca

    Tutto UVaDOCArchiviData di pubblicazioneAutoriSoggettiTitoli

    My Account

    Login

    Estadísticas

    Ver Estadísticas de uso

    Compartir

    Mostra Item 
    •   UVaDOC Home
    • PROGETTI DI LAUREA FINALE
    • Trabajos Fin de Máster UVa
    • Mostra Item
    •   UVaDOC Home
    • PROGETTI DI LAUREA FINALE
    • Trabajos Fin de Máster UVa
    • Mostra Item
    • español
    • English
    • français
    • Deutsch
    • português (Brasil)
    • italiano

    Exportar

    RISMendeleyRefworksZotero
    • edm
    • marc
    • xoai
    • qdc
    • ore
    • ese
    • dim
    • uketd_dc
    • oai_dc
    • etdms
    • rdf
    • mods
    • mets
    • didl
    • premis

    Citas

    Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:http://uvadoc.uva.es/handle/10324/2664

    Título
    Utilización de técnicas de medida de corriente para la caracterización eléctrica de estructuras MIM basadas en óxido de niobio
    Autor
    Encinas Gozalo, Verónica
    Director o Tutor
    García García, HéctorAutoridad UVA
    Dueñas Carazo, SalvadorAutoridad UVA
    Editor
    Universidad de Valladolid. Escuela Técnica Superior de Ingenieros de TelecomunicaciónAutoridad UVA
    Año del Documento
    2013
    Titulación
    Máster en Investigación en Tecnologías de la Información y las Comunicaciones
    Abstract
    En este trabajo se estudian las memorias RAM dinámicas (DRAM), así como la necesidad de la utilización de dieléctricos de alta permitividad para continuar con el aumento en la densidad de capacidad de estas memorias DRAM. El aumento de esta capacidad se puede hacer de varias formas: en nuestro caso se opta por aumentar la capacidad del condensador aumentando la permitividad dieléctrica del propio condensador. Por lo tanto en este trabajo analizamos las ventajas y desventajas de cada una de estas formas de aumentar la densidad de la capacidad de estas memorias DRAM. Quedándonos con el aumento de la permitividad dieléctrica del condensador. El material aislante de estudio para el condensador es el Dióxido de Niobio (Nb2O5), ya que tiene una alta permitividad dieléctrica. Estas muestras han sido crecidas por deposición de capas atómicas utilizando como precursor el ozono y con diferentes temperaturas de recocido. A la muestra estudiada se le aplica un barrido de tensiones y te va dando el valor de la corriente para cada valor de tensión aplicado. Esto se estudia para varias temperaturas. Y con los resultados comprobamos qué mecanismo de conducción es el que se está dando en estas muestras.
    Materias (normalizadas)
    Ordenadores-Memorias
    Departamento
    Electricidad y Electrónica
    Idioma
    spa
    URI
    http://uvadoc.uva.es/handle/10324/2664
    Derechos
    openAccess
    Aparece en las colecciones
    • Trabajos Fin de Máster UVa [7034]
    Mostra tutti i dati dell'item
    Files in questo item
    Nombre:
    TFM-G 98.pdf
    Tamaño:
    1.720Mb
    Formato:
    Adobe PDF
    Thumbnail
    Mostra/Apri
    Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 UnportedLa licencia del ítem se describe como Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Unported

    Universidad de Valladolid

    Powered by MIT's. DSpace software, Version 5.10