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| dc.contributor.advisor | Dueñas Carazo, Salvador | es |
| dc.contributor.author | Pisador Cañibano, Carlos | |
| dc.contributor.editor | Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias | es |
| dc.date.accessioned | 2018-10-09T11:46:38Z | |
| dc.date.available | 2018-10-09T11:46:38Z | |
| dc.date.issued | 2018 | |
| dc.identifier.uri | http://uvadoc.uva.es/handle/10324/32054 | |
| dc.description.abstract | El deseo de conseguir dispositivos cada vez más pequeños basados en la tecnología CMOS (ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor),ha desembocado en algunos problemas como son los niveles de corrientes de fuga.Durante los últimos años, se han realizado muchas investigaciones para encontrar dieléctricos de alta permitividad que sustituyan a SiO2 y SiON como aislantes en transistores MOS. A día de hoy, se están usando varias técnicas con este objetivo (curvas C-V,Transitorios de tensión de banda plana (FTB) o la Técnica de transitorios de conductancia (GTT)).En este documento, se va a explicar cómo se realizan estas técnicas y los resultados que obtenemos para diferentes muestras formadas por HfO2 y Al2O3 como asilantes de alta permitividad. | es |
| dc.format.mimetype | application/pdf | es |
| dc.language.iso | spa | es |
| dc.rights.accessRights | info:eu-repo/semantics/openAccess | es |
| dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ | |
| dc.subject.classification | Defectos | es |
| dc.subject.classification | MOS | es |
| dc.subject.classification | Interfaz | es |
| dc.subject.classification | Técnicas | es |
| dc.title | Técnicas de caracterización de defectos en dieléctricos de alta permitividad en estructuras Metal-Aislante-Semiconductor | es |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/bachelorThesis | es |
| dc.description.degree | Grado en Física | es |
| dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International |
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- Trabajos Fin de Grado UVa [28871]
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