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dc.contributor.advisorDueñas Carazo, Salvador es
dc.contributor.authorPisador Cañibano, Carlos
dc.contributor.editorUniversidad de Valladolid. Facultad de Ciencias es
dc.date.accessioned2018-10-09T11:46:38Z
dc.date.available2018-10-09T11:46:38Z
dc.date.issued2018
dc.identifier.urihttp://uvadoc.uva.es/handle/10324/32054
dc.description.abstractEl deseo de conseguir dispositivos cada vez más pequeños basados en la tecnología CMOS (ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor),ha desembocado en algunos problemas como son los niveles de corrientes de fuga.Durante los últimos años, se han realizado muchas investigaciones para encontrar dieléctricos de alta permitividad que sustituyan a SiO2 y SiON como aislantes en transistores MOS. A día de hoy, se están usando varias técnicas con este objetivo (curvas C-V,Transitorios de tensión de banda plana (FTB) o la Técnica de transitorios de conductancia (GTT)).En este documento, se va a explicar cómo se realizan estas técnicas y los resultados que obtenemos para diferentes muestras formadas por HfO2 y Al2O3 como asilantes de alta permitividad.es
dc.format.mimetypeapplication/pdfes
dc.language.isospaes
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
dc.subject.classificationDefectoses
dc.subject.classificationMOSes
dc.subject.classificationInterfazes
dc.subject.classificationTécnicases
dc.titleTécnicas de caracterización de defectos en dieléctricos de alta permitividad en estructuras Metal-Aislante-Semiconductores
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesises
dc.description.degreeGrado en Físicaes
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International


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