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Please use this identifier to cite or link to this item: http://uvadoc.uva.es/handle/10324/32054
Title: Técnicas de caracterización de defectos en dieléctricos de alta permitividad en estructuras Metal-Aislante-Semiconductor
Authors: Pisador Cañibano, Carlos
Editors: Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias
Tutor: Dueñas Carazo, Salvador
Issue Date: 2018
Degree : Grado en Física
Abstract: El deseo de conseguir dispositivos cada vez más pequeños basados en la tecnología CMOS (ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor),ha desembocado en algunos problemas como son los niveles de corrientes de fuga.Durante los últimos años, se han realizado muchas investigaciones para encontrar dieléctricos de alta permitividad que sustituyan a SiO2 y SiON como aislantes en transistores MOS. A día de hoy, se están usando varias técnicas con este objetivo (curvas C-V,Transitorios de tensión de banda plana (FTB) o la Técnica de transitorios de conductancia (GTT)).En este documento, se va a explicar cómo se realizan estas técnicas y los resultados que obtenemos para diferentes muestras formadas por HfO2 y Al2O3 como asilantes de alta permitividad.
Classification: Defectos
MOS
Interfaz
Técnicas
Language: spa
URI: http://uvadoc.uva.es/handle/10324/32054
Rights: info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:Trabajos Fin de Grado UVa

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